ADSORPSI ATOM SILIKON PADA PERMUKAAN GRAFENA DENGAN METODE AM 1 MENGGUNAKAN PAKET HYPERCHEM

Imelda , Imelda and Kusuma, Theresia Sita and Yarza, Hayatil Khairy (2010) ADSORPSI ATOM SILIKON PADA PERMUKAAN GRAFENA DENGAN METODE AM 1 MENGGUNAKAN PAKET HYPERCHEM. In: Seminar dan Rapat Tahunan BKS-PTN Wilayah Barat ke-21, 10-11 May 2010, Universitas Riau.

	PDF (ADSORPSI ATOM SILIKON PADA PERMUKAAN GRAFENA DENGAN METODE AM 1 MENGGUNAKAN PAKET HYPERCHEM) - Published Version Available under License Creative Commons Public Domain Dedication. Download (568Kb)
	Postscript (ADSORPSI ATOM SILIKON PADA PERMUKAAN GRAFENA DENGAN METODE AM 1 MENGGUNAKAN PAKET HYPERCHEM) - Published Version Available under License Creative Commons Public Domain Dedication. Download (2600Kb)

Abstract

Adsorpsi atom Silicon pada permukaan grafena (C24) dipelajari dengan paket Hyperchem dengan metode AM 1. Program ini dijalankan dengan Computer Intel Pentium IV processor 2.66 GHz yang memorinya 256 MB RAM. Hasil perhitungan memperlihatkan setiap atom Silikon yang mendatangi lapisan grafena diserap oleh atom karbon membentuk kompleks permukaan Si dengan posisi C-Si jembatan tilted dan jembatan lyingdown terhadap lapisan dan ada pula atom atau atom-atom silicon yang dilepas, yaitu berupa : Si, Si2, Si4. Energi ikatan system dari kompleks ini berkisar antara (-3330'0871)-(-4966,1832) kkal/mol. Untuk energy ikatan (Siad)/n berkisar antara -11,3694 - 151,4067 kkal/mol. Adsorpsi Silicon pada permukaan grafena menurunkan energi celah permukaan tersebut dari 7,0788 eV menjadi 6,5292 - 4,2761 eV, pada permukaan grafena dengan penjenuhan sisi aktif dengan atom Si sebesar 50% (C24Si6) juga terjadi penurunan energi celah permukaan dari 6,3321 eV menjadi 6,1647 - 4,4685 eV dan pada permukaan grafena dengan penjenuhan sisi aktif dengan atom Si sebesar 100% (C24Si12) juga menurunkan energy celah permukaan tersebut dari 4,8828 menjadi 4,8613 -3,9135 eV Kata kunci; Komputasi, Grafena, Silicon, Hyperchem, AM I

Actions (login required)

View Item