ADSORPSI ATOM SILIKON PADA PERMUKAAN GRAFENA DENGAN METODE AM1

YARZA, HAYATIL KHAIRY (2008) ADSORPSI ATOM SILIKON PADA PERMUKAAN GRAFENA DENGAN METODE AM1. Other thesis, Fakultas MIPA.

Preview

PDF ( ADSORPSI ATOM SILIKON PADA PERMUKAAN GRAFENA DENGAN METODE AM1) - Supplemental Material Available under License Creative Commons Public Domain Dedication. Download (365Kb) | Preview

Abstract

Adsorpsi atom atau atom-atom silikon pada permukaan grafena (C24) dipelajari dengan paket Hyperchem dengan metode AM1. Program ini dijalankan dengan komputer lntel Pentium IV Processor 2.66 GHz yang memorinya 256 MB RAM. Hasil perhitungan memperlihatkan setiap atom Siyang mendatangi lapisan grafena diserap oleh atom karbon membentuk kompleks permukaan Si dengan posisi C-Si jembatan titted dan jembatan lyingdown terhadap lapisan dan ada pula atom atau atom-atom silikon yang dilepas, yaitu berupa : Si, Si2, Si4. Energi ikatan sistem dari kompleks ini berkisar antara (-3330,0871)-(-4966,1832) kkal/mol. Untuk energi ikatan (Siao)/n berkisar antara -11,3694-151,4A67 kkal/mol. Adsorpsi silikon pada permukaan grafena menurunkan energi celah permukaan tersebut dari 7,0788 eV menjadi 6,52924,2761 eV, pada permukaan grafena dengan penjenuhan sisi aktif dengan atom Si sebesar 50 % (C24S16) juga terjadi penurunan energi celah permukaan dari 6,3321 eV menjadi 6,16474,4685 eV dan pada permukaan grafena dengan penjenuhan sisi aktif dengan atom Si sebesar 100 % juga menurunkan energi celah permukaan tersebut dari 4,8828 menjadi 4,8613-3,9135 eV.

Actions (login required)

View Item